富士IGBT模塊2MBI300U4H-120

型號(hào)：	2MBI300U4H-120
報(bào) 價(jià)：	999

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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日本富士 IGBT 模塊（耐壓600/1200/1400/1800/2000V）系列：
日本富士 IGBT 1單元600V系列：
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3MBI150U-120	2MBP600UA-120	2MBI100U4A-120	2MBI150U4A-120
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日本富士 IGBT 2單元1400V系列：
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2MBI200PB-140	2MBI300P-140
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6MBI10L-060	6MBI15L-060	6MBI20L-060	6MBI30L-060
6MBI10F-060	6MBI15F-060	6MBI20F-060	6MBI30F-060
6MBI10N-060	6MBI15N-060	6MBI20N-060	6MBI30N-060
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6MBI8L-120	6MBI8F-120	6MBI8N-120	6MBI15L-120
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日本富士 IGBT 7單元600V系列：
7MBI100SA-060	7MBI150SA-060	7MBI200SA-060	7MBI150U2E-060
7MBI200U2E-060	7MBI75SA120	7MBI100SA120	7MBI100UE120

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