FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50

型號：	6MBI75S-120-50
報價：	888

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FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模塊發(fā)射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

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北京京誠宏泰科技原裝正品銷售FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50 ；N通道 IGBT 模塊發(fā)射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V, 21針 M626封裝

zui大功率耗散   520 W
   zui大柵極發(fā)射極電壓   ±20V
   zui大連續(xù)集電極電流   100 A
   zui大集電極-發(fā)射極電壓   1200 V
   zui高工作溫度   +150 °C
   通道類型   N
   配置   發(fā)射極-集電極、六（3x雙）
   長度   122mm
   高度   17mm

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