產(chǎn)品展示
三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F
| 型 號(hào)： | CM600YE2P-12F |
| 報(bào) 價(jià)： | 1888 |
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品銷售 安川G7 變頻器IGBT模
塊，MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F
600A 600V
CM600YE2P-12F / CM600YE2N-12F
CM400YE2P-12F / CM400YE2N-12F
CM300YE2P-12F / CM300YE2N-12F
