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西門子模塊6SY7000-0AB13

西門子模塊6SY7000-0AB13

型    號: 6SY7000-0AB12
報    價: 9999
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西門子模塊6SY7000-0AB12
北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管電容

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西門子igbt模塊6SY7000-0AB12

北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)西門子igbt模塊6SY7000-0AB12

西門子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)地:德國

西門子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品類型:單管igbt

西門子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品參數(shù):1600V  1200A

北京京誠宏泰科技銷售SIEMENS西門子變頻器備件:IGBT模塊,晶閘管,鋁電解電容,變頻器驅(qū)動板,勵磁板,風機,電阻,整流二極管,IGBT逆變單元,硅整流單元,快速熔斷器。

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IGBT

IGBT是什么?

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

  • 優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

  • 缺點:擊穿電壓低,工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

  • 特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

  • 電動機

  • 不間斷電源

  • 太陽能面板安裝

  • 電焊機

  • 電源轉(zhuǎn)換器與反相器

  • 電感充電器

  • 電磁爐





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